对于传统的电子电路来说，太空探测充满了危险，比如说暴露于辐射和巨大的温度波动之中，为了应对太空探测中的危险，阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）的研究人员发明了有史以来第一个由氧化镓制成的闪存设备。
它的设计类似于传统的闪存设备，但该设备包含一层仅50纳米厚的氧化镓，而不是硅。顶部一小块氮化钛，包裹在一层非常薄的绝缘材料中，用作浮动门。
为了将数据输入到设备中，研究人员施加了一个正电压脉冲，将电子从氧化镓中发射出来，穿过绝缘体，进入漂浮栅极，在那里它们被捕获。相反，负电压可以通过将电子送回到氧化镓中来擦除数据。
氧化镓材料质量和器件设计的进一步发展将为实际的极端环境应用提供更好的记忆特性，虽然半导体通常由硅制成，但氧化镓允许科学家制造出可以支持高电流和低能量损耗电压的设备。除了太空任务外，闪存设备还可能用于地球上有辐射风险或极端条件的地方。
