应变半导体纳米结构

Strained semiconductor nanostructures

【作者】 Heidemeyer ; Henry ; Kiravittaya ; Suwit ; Deneke ; Christoph ; Jin-Phillipp ; Neng Yun ; Stoffel ; Mathieu ; Schmidt ; Oliver G.

2003
德国马普学会
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我们应用应变层异质外延生长来创建二维和三维量子点（QD）晶体、具有独特光学和电子特性的SiGe异质结构、径向超晶格和精确定位的半导体纳米管线。QD晶体的高度结构完善使我们能够观察到诸如横向应变场干扰之类的新现象。SiGe基异质结构和带间隧道二极管在极低温度（≈300°C）下生长，发射波长超过2µm，峰谷电流比大于7:1。此外，我们卷起应变半导体双层，并表明这些结构的壁由新型径向超晶格组成。单个卷起的纳米管充满红色染料流体。

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