利用CH4/Ar/N2气体化学，通过微波等离子体增强化学气相沉积（MPECVD）在n-硅（100）衬底上生长了掺氮纳米金刚石（NCD）膜。通过氢和氮等离子体处理研究了表面钝化对NCD薄膜性能的影响。由于等离子体处理引起的损伤，NCD膜的结晶度降低。根据晶体学数据，观察到金刚石晶格的（111）峰的强度在膜暴露于氮等离子体后降低。从拉曼光谱中观察到，在氢等离子体处理后，与反多乙炔（TPA）状态相关的特征的相对强度降低，而在氮等离子体处理后没有观察到这种变化。由于石墨碳的优先蚀刻，氢等离子体处理降低了sp2/sp3比率，而在生长和氮等离子体处理的膜中该比率保持不变。等离子体处理后，生长膜的电接触从欧姆变为接近肖特基。氢等离子体处理后，电导率从~84欧姆-1 cm−1（生长时）降至~10欧姆-1 cm–1，而氮等离子体处理后电导率变化不大。